Intel vừa lần đầu tiên trình làng nguyên mẫu công nghệ bộ nhớ ZAM (Z-Angle Memory) với kiến trúc đột phá hứa hẹn cải thiện đáng kể hiệu năng tản nhiệt và xử lý. Đây là bước tiến quan trọng trong nỗ lực tái gia nhập thị trường bộ nhớ của gã khổng lồ công nghệ sau nhiều thập kỷ vắng bóng.
Tại sự kiện Intel Connection Japan 2026, Intel cùng với công ty con Saimemory thuộc SoftBank đã chính thức giới thiệu giải pháp Z-Angle Memory nhằm phá vỡ sự độc quyền của công nghệ HBM hiện tại.
ZAM sử dụng công nghệ Next-Generation DRAM Bonding (NGDB) của Intel. Thay vì các kết nối TSV (Through-Silicon Via) phức tạp và tốn kém như trên HBM, ZAM tối ưu hóa việc xếp chồng các lớp bộ nhớ theo chiều dọc để tăng mật độ lưu trữ mà không làm tăng đáng kể nhiệt độ. Theo Intel, lợi ích lớn nhất của ZAM chính là khả năng tản nhiệt vượt trội và giảm 40 đến 50% điện năng tiêu thụ so với các giải pháp bộ nhớ hiện có.
![[IMG]](https://tinhte.org/img.php?url=https%3A%2F%2Fcdn.wccftech.com%2Fwp-content%2Fuploads%2F2026%2F02%2F2_o.jpg)
Ảnh: Wccftech.
Các nguyên mẫu ZAM cho thấy khả năng đạt tới 512GB trên mỗi chip, đáp ứng nhu cầu khổng lồ cho việc huấn luyện các mô hình AI lớn trong trung tâm dữ liệu.
Vai trò của Intel trong dự án ZAM hiện được xác định là chịu trách nhiệm về đầu tư ban đầu và các quyết định chiến lược. Mặc dù các thông số cụ thể về hiệu năng so với HBM chưa được công bố chi tiết, nhưng tài liệu marketing tại sự kiện cho thấy ZAM có tiềm năng cạnh tranh mạnh mẽ trong phân khúc bộ nhớ băng thông cao. Đây là động thái đáng chú ý của Intel trong bối cảnh thị trường bộ nhớ đang có nhiều biến động và nhu cầu ngày càng tăng cao từ các ứng dụng AI và điện toán hiệu năng cao.
Ngoài HBM và ZAM, NVIDIA cũng từng được cho là đang thử nghiệm HBF (High bandwidth Flash) trên HPC phục vụ nhu cầu AI, một công nghệ bộ nhớ cho tốc độ cực cao (của giao thức PCIe 7.0) và dung lượng cực kỳ lớn, mở rộng lên hàng terabyte trên mỗi thiết bị
Wccftech, HPCWire, TechPowerUp.
Tại sự kiện Intel Connection Japan 2026, Intel cùng với công ty con Saimemory thuộc SoftBank đã chính thức giới thiệu giải pháp Z-Angle Memory nhằm phá vỡ sự độc quyền của công nghệ HBM hiện tại.
Cơn sốt RAM: Nghịch lý của những tấm wafer khiến thị trường hỗn loạn
Khác với các chu kỳ khan hiếm trước đây thường do thiên tai, gián đoạn logistics hoặc nhu cầu tiêu dùng tăng đột biến, cuộc khủng hoảng hiện tại của DRAM (giai đoạn 2025-2028) được thúc đẩy bởi một sự thay đổi cơ bản trong mô hình phân bổ tài...
tinhte.vn
ZAM sử dụng công nghệ Next-Generation DRAM Bonding (NGDB) của Intel. Thay vì các kết nối TSV (Through-Silicon Via) phức tạp và tốn kém như trên HBM, ZAM tối ưu hóa việc xếp chồng các lớp bộ nhớ theo chiều dọc để tăng mật độ lưu trữ mà không làm tăng đáng kể nhiệt độ. Theo Intel, lợi ích lớn nhất của ZAM chính là khả năng tản nhiệt vượt trội và giảm 40 đến 50% điện năng tiêu thụ so với các giải pháp bộ nhớ hiện có.
Ảnh: Wccftech.
Các nguyên mẫu ZAM cho thấy khả năng đạt tới 512GB trên mỗi chip, đáp ứng nhu cầu khổng lồ cho việc huấn luyện các mô hình AI lớn trong trung tâm dữ liệu.
Vai trò của Intel trong dự án ZAM hiện được xác định là chịu trách nhiệm về đầu tư ban đầu và các quyết định chiến lược. Mặc dù các thông số cụ thể về hiệu năng so với HBM chưa được công bố chi tiết, nhưng tài liệu marketing tại sự kiện cho thấy ZAM có tiềm năng cạnh tranh mạnh mẽ trong phân khúc bộ nhớ băng thông cao. Đây là động thái đáng chú ý của Intel trong bối cảnh thị trường bộ nhớ đang có nhiều biến động và nhu cầu ngày càng tăng cao từ các ứng dụng AI và điện toán hiệu năng cao.
Ngoài HBM và ZAM, NVIDIA cũng từng được cho là đang thử nghiệm HBF (High bandwidth Flash) trên HPC phục vụ nhu cầu AI, một công nghệ bộ nhớ cho tốc độ cực cao (của giao thức PCIe 7.0) và dung lượng cực kỳ lớn, mở rộng lên hàng terabyte trên mỗi thiết bị
Tìm hiểu về giao diện bộ nhớ HBM: DRAM chồng lên nhau, nhanh hơn, tiết kiệm điện hơn
[ATTACH]
High Bandwidth Memory (HBM) là một loại giao tiếp RAM tốc độ cao, trong đó các đế chip DRAM sẽ được chồng lên nhau theo chiều dọc và có một đường kết nối từ trên xuống dưới để truyền dẫn tín hiệu. HBM được phát triển bởi AMD và Hynix,...
tinhte.vn
Nvidia thử nghiệm bộ nhớ HBF thay thế HBM cho chip AI
Nvidia thử nghiệm bộ nhớ HBF thay thế HBM cho chip AI
Có vẻ như NVIDIA đang tìm kiếm một sự thay thế cho công nghệ HBM và dường như đang hướng tới việc cải thiện hiệu năng của các chip nhớ trong SSD thông thường, đến mức chúng có thể mang lại...
tinhte.vn
Wccftech, HPCWire, TechPowerUp.
