Một vòng gian hàng TEAMGROUP tại COMPUTEX 2026

Tham gia COMPUTEX 2026, TEAMGROUP chơi lớn với 2 không gian trải nghiệm tại Taipei Nangang Exhibition Center:

• Gian hàng P1225 (TaiNEX 2): Khu vực dành riêng cho các giải pháp doanh nghiệp, bộ nhớ máy trạm nhúng và linh kiện công nghiệp siêu bền.
• Gian hàng I0407a (TaiNEX 1): Trình diễn các công nghệ gaming thuộc thương hiệu T-FORCE và dải sản phẩm chuyên biệt cho nhà sáng tạo nội dung T-CREATE.

Tới với gian hàng TEAMGROUP sẽ có 2 chủ đề chính là "100% Secure Your Data, Your Technology!" và "Awaken AI, Drive Evolution". Chủ đề được hiện thực hóa qua sự phối hợp 3 yếu tố: thiết kế vi mạch, công nghệ vật liệu tản nhiệt và giải pháp phần mềm thông minh.

TEAMGROUP INDUSTRIAL

Bộ nhớ ECC CU-DIMM tích hợp Grounded Via Fence PCB

Đối với các hệ thống nhúng vận hành trong môi trường công nghiệp nặng, hiện tượng phóng tĩnh điện (Electrostatic Discharge - ESD) có thể gây ra sai lệch bit dữ liệu ngẫu nhiên hoặc phá hủy vi mạch. Module ECC CU-DIMM + ESD Protection Module ứng dụng PCB độc quyền mang tên Grounded Via Fence.

Grounded Via Fence PCB thiết lập "hàng rào" gồm các lỗ mạch (via) nối đất bao quanh các đường truyền tín hiệu nhạy cảm. Khi xuất hiện xung điện ESD, hệ thống này lập tức cô lập và điều hướng chính xác dòng điện cao áp xuống lớp tiếp địa của bo mạch chủ, triệt tiêu hoàn toàn vi phóng điện có thể gây tổn hại cho hệ thống cấp nguồn (Power Delivery) và giao diện I/O. Module vận hành ở mức điện áp cực thấp chỉ 1.0V, đạt mức cân bằng tối ưu giữa hiệu năng băng thông và hiệu quả năng lượng. Kết hợp với cơ chế On-die ECC, bộ nhớ ECC CU-DIMM tích hợp Grounded Via Fence PCB cung cấp độ tin cậy cấp hệ thống (System-level reliability), đặc biệt cho các thiết bị hoạt động liên tục 24/7.

U512T - Flash drive bảo vệ ghi vật lý, tiêu chuẩn quân đội

Nhằm ngăn chặn mã độc tống tiền (ransomware) hoặc các cuộc tấn công dữ liệu qua cổng kết nối, USB flash drive INDUSTRIAL U512T Write-Protection USB Drive trang bị cơ chế bảo vệ phần cứng 1 chạm (One-Touch Hardware Defense). U512T tích hợp công tắc vật lý bên ngoài kết hợp với hệ thống công tắc ẩn được bảo vệ bởi nắp đậy từ tính. Khi gạt công tắc kích hoạt, bộ điều khiển của flash drive sẽ chặn hoàn toàn đường tín hiệu ghi dữ liệu từ hệ điều hành, biến U512T thành trạng thái chỉ đọc tuyệt đối không thể đảo ngược bằng phần mềm.

U512T sở hữu thuật toán chống xóa thông minh, đảm bảo trạng thái Zero Data Loss ngay cả khi nguồn điện bị ngắt đột ngột trong khi đọc ghi. Sản phẩm có 2 đầu kết nối Type-A / Type-C với dung lượng tới 256 GB, cho phép chuyển đổi dữ liệu giữa các máy móc công nghiệp đời cũ và thiết bị hiện đại. U512T đạt tiêu chuẩn chống sốc quân đội MIL-STD-810G và nhận giải thưởng 2026 Embedded Award.

SSD P250Q với khả năng hủy dữ liệu vật lý 1 chạm

SSD PCIe Gen4 x4 INDUSTRIAL P250Q One-Click Data Destruction sở hữu cơ chế hủy dữ liệu vật lý 1 chạm, đã được cấp bằng sáng chế phát minh tại Hoa Kỳ và Đài Loan (US Invention Patent No. US 12,619,792 B2; Taiwan Patent No. I921829). Khi bạn kích hoạt nút vật lý phần cứng, P250Q tạo ra xung điện cao áp nội bộ chạy thẳng vào chip điều khiển trung tâm và các chip nhớ NAND Flash. Xung điện này phá hủy cấu trúc vật lý của các bán dẫn Floating Gate, khiến dữ liệu bị tiêu hủy hoàn toàn ở cấp độ vật lý và không thể khôi phục bằng bất kỳ phương pháp nào.

Hệ thống hỗ trợ quy trình tiêu hủy theo từng giai đoạn với hệ thống đèn LED hiển thị trạng thái thời gian thực. Đặc biệt, TEAMGROUP P250Q năm nay còn hỗ trợ tính năng hủy dữ liệu không dây từ xa (Wireless Destruction, bằng sáng chế Taiwan Utility Model No. M680802; Japan No. 3251199). Tính năng này cho phép bạn kích hoạt lệnh tự hủy thông qua tần số vô tuyến hoặc thiết bị ngoại vi chuyên dụng, cung cấp sự chủ động quan trọng, nhất là ở môi trường quốc phòng.

Khu vực T-FORCE

Năm 2026 là mốc kỷ niệm 10 năm thành lập thương hiệu gaming T-FORCE. Nhân dịp này, TEAMGROUP ra mắt ngôn ngữ thiết kế CARBON STYLE Series, kết hợp lớp hoàn thiện vân carbon và màu đen obsidian, mang lại vẻ ngoài ngầu và đẹp hơn.

T-FORCE DELTA RGB DDR5 CARBON STYLE

Phiên bản đặc biệt DELTA RGB DDR5 CARBON STYLE cung cấp dung lượng cao nhất 64 GB × 2 (128 GB). Thiết kế bên ngoài vẫn là dải đèn LED góc siêu rộng 120 độ đặc trưng, trong khi lớp giáp tản nhiệt trang trí bằng vân carbon. TEAMGROUP cho biết chất liệu tản nhiệt vẫn giữ nguyên, tuy nhiên bề mặt được hoàn thiện bằng cách khắc laser, tạo nên vân carbon.

T-FORCE DELTA RGB DDR5 CARBON STYLE có công nghệ ép xung 1 chạm chế độ kép độc quyền (Taiwan Invention Patent No. I914103), tương thích đồng thời cấu hình Intel XMP 3.0 và AMD EXPO. PCB của RAM áp dụng kiến trúc mạch điện cải tiến được cấp bằng sáng chế (US Patent No. US12111715B2), giúp tối ưu hóa đường đi của tín hiệu, giảm nhiễu chéo giữa các đường truyền dữ liệu xung cao, tối ưu hóa phân phối dòng điện từ IC quản lý nguồn (PMIC), duy trì độ ổn định tuyệt đối khi hệ thống ép xung.

T-FORCE XTREEM DDR5 CARBON STYLE

Bộ nhớ XTREEM DDR5 CARBON STYLE sở hữu lớp vỏ nhôm dày được khắc laser vân carbon độ chính xác cao. Dung lượng 64 GB × 2 đảm bảo không gian bộ nhớ cho các tác vụ nặng như chơi game AAA ở độ phân giải cao, dựng hình thời gian thực và xử lý đa nhiệm. Các chip nhớ sử dụng trên dòng XTREEM đều được chọn lựa nghiêm ngặt nhờ công nghệ xác thực IC độc quyền của TEAMGROUP (US Patent No. US11488679B1), giúp thanh nhớ có khả năng ép xung cao, độ ổn định lâu dài.

T-FORCE Z54E CARBON STYLE M.2 PCIe 5.0

T-FORCE Z54E CARBON STYLE có trái tim là bộ điều khiển Phison E37T sản xuất trên tiến trình 6 nm. Dù không trang bị bộ đệm DRAM, nhưng Z54E vẫn có tốc độ đọc tuần tự lên đến 14 GBps mà vẫn giữ được nhiệt độ ở mức tối ưu (thấp hơn nhiều so với các dòng SSD Gen5 có DRAM đời đầu). Thiết kế bề mặt tản nhiệt phủ vân carbon kết hợp với thuật toán quản lý năng lượng thông minh, giúp ngăn chặn tình trạng giảm hiệu năng do quá nhiệt.

Tản nhiệt chất lỏng SSD T-FORCE LIQUID II

Khi SSD PCIe 5.0 tải nặng liên tục, nhất là các mẫu SSD Gen 5 thế hệ đầu tiên, nhiệt lượng tỏa ra là rất lớn. Nếu không có giải pháp làm mát hiệu quả, SSD Gen 5 rất dễ bị hạ hiệu năng, dẫn tới tốc độ đọc ghi thậm chí còn thấp hơn cả Gen 3. TEAMGROUP ra mắt hệ thống tản nhiệt T-FORCE LIQUID II, dạng đóng kín 3-trong-1, tích hợp bên trong gồm:

• Quạt làm mát siêu nhỏ.
• Hệ thống lá tản nhiệt hợp kim nhôm.
• Chất lỏng làm mát thân thiện với môi trường.

Buồng chứa chất lỏng trong suốt cho người dùng thấy được dòng chảy của chất làm mát huỳnh quang (có nhiều màu để lựa chọn), mang lại hiệu ứng thị giác độc đáo. Thử nghiệm thực tế cho thấy LIQUID II có thể giảm nhiệt độ hoạt động của SSD Gen 5 xuống hơn 20°C so với tản nhiệt khí tiêu chuẩn.

Dòng RAM T-FORCE DARK RGB DDR5 cũng ra mắt phiên bản tản nhiệt dạng thấp (low-profile, chiều cao tối đa 42 mm), loại bỏ nguy cơ cấn tản nhiệt khí CPU lớn và tăng tính linh hoạt khi lắp đặt. Bạn vẫn có chất lượng RAM giữ nguyên, vẫn có đèn RGB nhưng tăng thêm tính tương thích và linh hoạt ở nhiều setup hệ thống khác nhau.

Khu vực T-CREATE

Với chủ đề "Awaken AI, Drive Evolution", các giải pháp thuộc thương hiệu T-CREATE nhắm tới phục vụ cộng đồng phát triển Generative AI và các hệ thống máy trạm.

SSD di động P35S và nguyên mẫu P35SG hủy dữ liệu từ xa qua sóng 4G/SMS

TEAMGROUP trưng bày ổ cứng di động T-CREATE EXPERT P35S External SSD (giải thưởng COMPUTEX 2026 Best Choice Award). Sản phẩm chỉ nặng 42 gram, hỗ trợ giao tiếp USB 3.2 Gen2 x1, dung lượng lên tới 2 TB và tích hợp cơ chế nút bấm vật lý kép chống kích hoạt nhầm lệnh hủy dữ liệu 1 chạm. Đây cũng là mẫu SSD di động từng xuất hiện hồi COMPUTEX 2025.

Phiên bản tiến hóa dưới dạng nguyên mẫu ý tưởng có tên T-CREATE EXPERT P35SG. TEAMGROUP tích hợp trực tiếp 1 module viễn thông 4G chuyên dụng kèm antenna thu sóng và khe cắm SIM vào ngay bên trong P35SG. Khi cần thiết, bạn có thể kích hoạt hủy dữ liệu từ xa mà không cần phải trực tiếp tiếp cận sản phẩm:

Bước 1: Khi thiết bị chứa dữ liệu tuyệt mật bị thất lạc hoặc rơi vào tình huống nguy hiểm, người dùng sử dụng điện thoại di động thông thường gửi tin nhắn SMS chứa mã lệnh bảo mật cụ thể (lấy ví dụ như "Teamgroup") tới số điện thoại của thẻ SIM đang nằm bên trong P35SG.

Bước 2: Khi ổ cứng nhận được tin nhắn (thiết bị đang được cắm vào máy tính để cấp nguồn và kết nối di động), bộ vi xử lý bảo mật trên bo mạch SSD sẽ gởi tin nhắn SMS phản hồi ngược lại thiết bị của chủ nhân với nội dung xác nhận: "Execute DATA Destruction".

Bước 3: Ngay sau đó, mạch kích điện cao áp nội bộ hoạt động, phóng luồng điện cường độ lớn phá hủy phần cứng gồm toàn bộ các chip Silicon của bộ nhớ NAND flash và controller. Khác hoàn toàn với việc xóa bằng phần mềm, đây là quá trình phá hủy vật lý không thể đảo ngược, đốt hoàn toàn cấu trúc bán dẫn khiến dữ liệu không thể khôi phục bằng bất kỳ phương pháp nào.

T-CREATE EXPERT AI LPCAMM2

Đáp ứng xu hướng chạy các mô hình ngôn ngữ lớn trực tiếp trên thiết bị di động, T-CREATE có bộ nhớ dạng module tháo rời T-CREATE EXPERT AI LPCAMM2. Sở hữu dung lượng lên đến 64 GB trên 1 module duy nhất, bộ nhớ này đạt tốc độ lên tới 8533 MT/s tại điện áp hoạt động tối thiểu 1.05V.

Để đảm bảo hiệu năng không bị giảm trong các chu kỳ xử lý AI kéo dài, T-CREATE EXPERT AI LPCAMM2 tích hợp lớp tản nhiệt chất liệu Graphene siêu mỏng độc quyền đã được bảo hộ bằng sáng chế (Taiwan Patent No. I703921; US Patent No. US11051392B2). RAM LPCAMM2 là sự kết hợp hoàn hảo giữa băng thông cực cao của bộ nhớ LPDDR5X và tính linh hoạt trong nâng cấp phần cứng của các khe cắm truyền thống.

T-CREATE EXPERT AI 4R CUDIMM

Dành cho các máy trạm để bàn chuyên nghiệp, dòng RAM T-CREATE EXPERT AI 4R CUDIMM Desktop Memory áp dụng kiến trúc bộ nhớ 4-Rank (Quad-Rank) cùng với chip tạo xung Clock Driver (CKD). Giải pháp này đẩy mật độ dung lượng trên 1 thanh RAM đơn lên con số 128 GB mỗi thanh (đạt tới 256 GB RAM kênh đôi trên hệ thống 2 khe cắm).

T-CREATE EXPERT AI 4R CUDIMM chạy ở băng thông tới 8000 MT/s tại điện áp 1.1V với độ trễ CL64-64-64-128. Để giải quyết nhiệt độ cao sinh ra từ mật độ chip nhớ dày đặc 4 lớp, sản phẩm tích hợp bộ giáp tản nhiệt dạng đối lưu đục lỗ độc quyền (Perforated convection cooling design), giúp tối ưu hóa luồng khí lưu thông bên trong, đảm bảo hệ thống dựng hình và tính toán AI hoạt động bền bỉ.